管理系统开发资讯 信越化学通知推出用于GaN器件的12英寸晶圆
近日，日本半导体材料大厂信越化学通知，还是制造出一种用于 GaN（氮化镓）外延滋长的 300 毫米（12 英寸）衬底，并于最近运行供应样品。
据先容，信越化学的 QST 300mm 晶圆具有与 GaN 疏通的热膨大系数 （CTE），幸免了 GaN 外延层的翘曲和裂纹，从而普及了良率。在此之前，信越化学还是对外售售了 150 毫米（6 英寸）和 200 毫米（8 英寸）QST 衬底以及 QST 外延衬底上的 GaN。
Qromis 许可的 QST（Qromis 衬本来领）衬底由具有与 GaN 相匹配的 CTE 的多晶氮化铝陶瓷芯和涂覆芯的多层无机薄膜构成。封装层顶部的二氧化硅 SiO2 键合层允许单个晶体硅层酿成外延 GaN 滋长的成核层。
GaN 器件制造商由于短少适应 GaN 滋长的大直径衬底，因此无法从增多材料直径中受益，尽管他们不错使用现存的 GaN 硅分娩线。300mm QST 衬底可收场 GaN 外延滋长，而不会出现翘曲或裂纹，这在硅片衬底上是无法收场的，从而显赫镌汰了器件资本。
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这种衬底材料可收场高质料和厚的 GaN 外延滋长，并具有大直径。信越化学暗示，客户正在评估用于功率器件、高频器件和 LED 的 QST 衬底和 QST 外延衬底上的 GaN，并已插足数据中心电源的成就阶段。
裁剪：芯智讯-林子管理系统开发资讯